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SCT2H12NYTB Image

Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB

Numéro de pièce MFG
SCT2H12NYTB
quantité disponible
71350 Pièces
Prix de référence
USD 2.9452
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SCT2H12NYTB.pdf
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SCT2H12NYTB Caractéristiques

Référence fabricant SCT2H12NYTB
Numéro de pièce future FT-SCT2H12NYTB
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SCT2H12NYTB Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 410µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 800V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 44W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-268
Paquet / caisse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT2H12NYTB Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SCT2H12NYTB-FT

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