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Rohm Semiconductor SCT2H12NYTB
- Numéro de pièce MFG
- SCT2H12NYTB
- quantité disponible
- 71350 Pièces
- Prix de référence
- USD 2.9452
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Rohm Semiconductor
- Brève description
- - 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SCT2H12NYTB.pdf
SCT2H12NYTB Caractéristiques
| Référence fabricant | SCT2H12NYTB |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SCT2H12NYTB |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| SCT2H12NYTB Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 1700V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 44W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
| Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCT2H12NYTB Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SCT2H12NYTB-FT |
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