maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN0R9-30YLDX
Référence fabricant | PSMN0R9-30YLDX |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PSMN0R9-30YLDX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN0R9-30YLDX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 300A |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.87 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 109nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7668pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 291W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
Paquet / caisse | SOT-1023, 4-LFPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN0R9-30YLDX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN0R9-30YLDX-FT |
SCT3120ALGC11
Rohm Semiconductor
SCT2H12NYTB
Rohm Semiconductor
SCT2750NYTB
Rohm Semiconductor
RSY200N05TL
Rohm Semiconductor
RSY160P05TL
Rohm Semiconductor
RMW200N03TB
Rohm Semiconductor
RRS090P03TB1
Rohm Semiconductor
RRS100P03TB1
Rohm Semiconductor
SCT2H12NZGC11
Rohm Semiconductor
RMW130N03TB
Rohm Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel