maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMV50EPEAR
Référence fabricant | PMV50EPEAR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PMV50EPEAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMV50EPEAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 4.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 793pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 310mW (Ta), 455mW (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV50EPEAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMV50EPEAR-FT |
PHB55N03LTA,118
NXP USA Inc.
PHB73N06T,118
NXP USA Inc.
PHB78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB95NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PSMN003-30B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-36B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
PSMN005-75B,118
Nexperia USA Inc.