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Référence fabricant | PHB73N06T,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHB73N06T,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHB73N06T,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 73A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2464pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 166W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHB73N06T,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHB73N06T,118-FT |
BUK7611-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7613-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7614-55,118
NXP USA Inc.
BUK7614-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7615-100A,118
NXP USA Inc.
BUK76150-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7616-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7618-55,118
Nexperia USA Inc.
BUK7619-100B,118
NXP USA Inc.
BUK761R3-30E,118
NXP USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel