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Référence fabricant | PHB78NQ03LT,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHB78NQ03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHB78NQ03LT,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 107W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHB78NQ03LT,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHB78NQ03LT,118-FT |
BUK7613-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7614-55,118
NXP USA Inc.
BUK7614-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7615-100A,118
NXP USA Inc.
BUK76150-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7616-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7618-55,118
Nexperia USA Inc.
BUK7619-100B,118
NXP USA Inc.
BUK761R3-30E,118
NXP USA Inc.
BUK761R4-30E,118
NXP USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel