maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMV45EN2R
Référence fabricant | PMV45EN2R |
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Numéro de pièce future | FT-PMV45EN2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMV45EN2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 209pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 510mW (Ta), 5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV45EN2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMV45EN2R-FT |
BUK963R3-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R2-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R2-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R2-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R7-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK966R5-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK968R3-40E,118
NXP USA Inc.
BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB101NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB108NQ03LT,118
NXP USA Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation