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Référence fabricant | PMV130ENEAR |
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Numéro de pièce future | FT-PMV130ENEAR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMV130ENEAR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 460mW (Ta), 5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV130ENEAR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMV130ENEAR-FT |
PHB73N06T,118
NXP USA Inc.
PHB78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB95NQ04LT,118
NXP USA Inc.
PHB96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PSMN003-30B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-36B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
PSMN005-75B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75B,118
Nexperia USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel