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Référence fabricant | PMT560ENEAX |
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Numéro de pièce future | FT-PMT560ENEAX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMT560ENEAX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 715 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 112pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 750mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-73 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMT560ENEAX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMT560ENEAX-FT |
PHD45N03LTA,118
NXP USA Inc.
PHD55N03LTA,118
NXP USA Inc.
PHD63NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD66NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD71NQ03LT,118
Nexperia USA Inc.
PHD77NQ03T,118
NXP USA Inc.
PHD78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD82NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD97NQ03LT,118
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144C
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EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel