maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / PMEG3010AESAYL
Référence fabricant | PMEG3010AESAYL |
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Numéro de pièce future | FT-PMEG3010AESAYL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMEG3010AESAYL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 480mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3.5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1.25mA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 32pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | DSN1006U-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG3010AESAYL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMEG3010AESAYL-FT |
CS3K-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
CS3M-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
D2200N20TVFXPSA1
Infineon Technologies
D2200N22TVFXPSA1
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DZ1070N18KHPSA3
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DZ1070N22KHPSA3
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DZ1070N26KHPSA1
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DZ1070N28KHPSA1
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
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XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
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LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
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