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Référence fabricant | DZ1100N22KHPSA2 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ1100N22KHPSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DZ1100N22KHPSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 2200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.11V @ 3000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 80mA @ 2200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ1100N22KHPSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ1100N22KHPSA2-FT |
V8PAM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel