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Référence fabricant | DZ1070N18KHPSA3 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ1070N18KHPSA3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DZ1070N18KHPSA3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.11V @ 3000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 150mA @ 1800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ1070N18KHPSA3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ1070N18KHPSA3-FT |
V8PA15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel