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PHT6NQ10T,135 Image

Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135

Numéro de pièce MFG
PHT6NQ10T,135
quantité disponible
72380 Pièces
Prix de référence
USD 0.26568
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PHT6NQ10T,135.pdf
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PHT6NQ10T,135 Caractéristiques

Référence fabricant PHT6NQ10T,135
Numéro de pièce future FT-PHT6NQ10T,135
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PHT6NQ10T,135 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SC-73
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHT6NQ10T,135 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PHT6NQ10T,135-FT

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