maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PHT6NQ10T,135
Référence fabricant | PHT6NQ10T,135 |
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Numéro de pièce future | FT-PHT6NQ10T,135 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHT6NQ10T,135 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-73 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHT6NQ10T,135 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHT6NQ10T,135-FT |
PHD20N06T,118
Nexperia USA Inc.
PHD21N06LT,118
NXP USA Inc.
PHD22NQ20T,118
NXP USA Inc.
PHD23NQ10T,118
NXP USA Inc.
PHD3055E,118
NXP USA Inc.
PHD34NQ10T,118
NXP USA Inc.
PHD36N03LT,118
NXP USA Inc.
PHD37N06LT,118
NXP USA Inc.
PHD38N02LT,118
Nexperia USA Inc.
PHD45N03LTA,118
NXP USA Inc.
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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EP3SE50F780I3
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