maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PHD34NQ10T,118
Référence fabricant | PHD34NQ10T,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHD34NQ10T,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHD34NQ10T,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1704pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 136W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD34NQ10T,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHD34NQ10T,118-FT |
BUK9E2R8-60E,127
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BUK9E3R2-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40E,127
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BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E6R1-100E,127
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BUK9E8R5-40E,127
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PSMN013-100ES,127
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