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Référence fabricant | PHD36N03LT,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHD36N03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHD36N03LT,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 43.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 57.6W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD36N03LT,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHD36N03LT,118-FT |
BUK9E3R2-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-40B,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.
PSMN013-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-40ES,127
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel