maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PCFD18N20W
Référence fabricant | PCFD18N20W |
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Numéro de pièce future | FT-PCFD18N20W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
PCFD18N20W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PCFD18N20W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PCFD18N20W-FT |
NP28N10SDE-E1-AY
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NP32N055SDE-E1-AZ
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XC3S50-4TQG144I
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MPF300T-1FCG1152E
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Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
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LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel