maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NP32N055SDE-E1-AZ
Référence fabricant | NP32N055SDE-E1-AZ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NP32N055SDE-E1-AZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP32N055SDE-E1-AZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP32N055SDE-E1-AZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP32N055SDE-E1-AZ-FT |
JANTXV2N6756
Microsemi Corporation
JANTXV2N6758
Microsemi Corporation
JANTXV2N6760
Microsemi Corporation
JANTXV2N6762
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768T1
Microsemi Corporation
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel