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Microsemi Corporation JANTXV2N6766

Name: JANTXV2N6766
Brand: Microsemi Corporation
SKU: JANTXV2N6766
Availability: InStock
Rating: 4.8 (188 reviews)

Numéro de pièce MFG: JANTXV2N6766

quantité disponible: 55830 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: Military, MIL-PRF-19500/543 MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: JANTXV2N6766.pdf

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JANTXV2N6766 Caractéristiques

Référence fabricant	JANTXV2N6766
Numéro de pièce future	FT-JANTXV2N6766
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Military, MIL-PRF-19500/543
JANTXV2N6766 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	4W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3
Paquet / caisse	TO-204AE
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JANTXV2N6766 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	JANTXV2N6766-FT

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