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Microsemi Corporation JAN2N6766

Numéro de pièce MFG
JAN2N6766
quantité disponible
69440 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
Military, MIL-PRF-19500/543 MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
JAN2N6766.pdf
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JAN2N6766 Caractéristiques

Référence fabricant JAN2N6766
Numéro de pièce future FT-JAN2N6766
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Military, MIL-PRF-19500/543
JAN2N6766 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-3
Paquet / caisse TO-204AE
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
JAN2N6766 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange JAN2N6766-FT

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