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Référence fabricant | IXFV30N50PS |
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Numéro de pièce future | FT-IXFV30N50PS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFV30N50PS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 460W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS-220SMD |
Paquet / caisse | PLUS-220SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV30N50PS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFV30N50PS-FT |
ITD50N04S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IXFB30N120Q2
IXYS
IXFC10N80P
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P1000-FGG256
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5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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