maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NP28N10SDE-E1-AY
Référence fabricant | NP28N10SDE-E1-AY |
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Numéro de pièce future | FT-NP28N10SDE-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP28N10SDE-E1-AY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP28N10SDE-E1-AY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP28N10SDE-E1-AY-FT |
JANTX2N7236U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6756
Microsemi Corporation
JANTXV2N6758
Microsemi Corporation
JANTXV2N6760
Microsemi Corporation
JANTXV2N6762
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6768
Microsemi Corporation
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
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A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel