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ON Semiconductor NXH80B120H2Q0SG

Name: NXH80B120H2Q0SG
Brand: ON Semiconductor
SKU: NXH80B120H2Q0SG
Price: 65.048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (104 reviews)

Numéro de pièce MFG: NXH80B120H2Q0SG

quantité disponible: 58670 Pièces

Prix de référence: USD 65.048

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - PIM 1200V 40A DUAL BOOST

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NXH80B120H2Q0SG.pdf

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NXH80B120H2Q0SG Caractéristiques

Référence fabricant	NXH80B120H2Q0SG
Numéro de pièce future	FT-NXH80B120H2Q0SG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NXH80B120H2Q0SG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type IGBT	-
Configuration	Dual Boost Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	41A
Puissance - Max	103W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 40A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	200µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	9.7nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	Module
Package d'appareils du fournisseur	20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NXH80B120H2Q0SG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NXH80B120H2Q0SG-FT

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