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NXH80B120H2Q0SG Image

ON Semiconductor NXH80B120H2Q0SG

Numéro de pièce MFG
NXH80B120H2Q0SG
quantité disponible
58670 Pièces
Prix de référence
USD 65.048
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- PIM 1200V 40A DUAL BOOST
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NXH80B120H2Q0SG.pdf
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NXH80B120H2Q0SG Caractéristiques

Référence fabricant NXH80B120H2Q0SG
Numéro de pièce future FT-NXH80B120H2Q0SG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NXH80B120H2Q0SG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT -
Configuration Dual Boost Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 41A
Puissance - Max 103W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 200µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 9.7nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NXH80B120H2Q0SG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NXH80B120H2Q0SG-FT

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