maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / MUBW50-06A8
Référence fabricant | MUBW50-06A8 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUBW50-06A8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUBW50-06A8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | NPT |
Configuration | Three Phase Inverter with Brake |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Puissance - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 800µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | E3 |
Package d'appareils du fournisseur | E3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW50-06A8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUBW50-06A8-FT |
APTGT750U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation