maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NX138BKVL
Référence fabricant | NX138BKVL |
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Numéro de pièce future | FT-NX138BKVL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
NX138BKVL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 265mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.49nC @ 30V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20.2pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 310mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NX138BKVL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NX138BKVL-FT |
NP160N04TUJ-E2-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUJ-E1-AY
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NP160N055TUJ-E2-AY
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NP180N04TUJ-E2-AY
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NP180N055TUJ-E2-AY
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NP22N055SLE(1)-E1-AY
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NP22N055SLE-E1-AZ
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NP22N055SLE-E2-AY
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NP23N06YDG-E1-AY
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel