maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NP22N055SLE-E2-AY
Référence fabricant | NP22N055SLE-E2-AY |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NP22N055SLE-E2-AY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP22N055SLE-E2-AY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP22N055SLE-E2-AY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP22N055SLE-E2-AY-FT |
JANTX2N7228U
Microsemi Corporation
JANTX2N7236
Microsemi Corporation
JANTX2N7236U
Microsemi Corporation
JANTXV2N6756
Microsemi Corporation
JANTXV2N6758
Microsemi Corporation
JANTXV2N6760
Microsemi Corporation
JANTXV2N6762
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764
Microsemi Corporation
JANTXV2N6764T1
Microsemi Corporation
JANTXV2N6766
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel