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Renesas Electronics America NP23N06YDG-E1-AY

Name: NP23N06YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics America
SKU: NP23N06YDG-E1-AY
Availability: InStock
Rating: 4.7 (726 reviews)

Numéro de pièce MFG: NP23N06YDG-E1-AY

quantité disponible: 12980 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NP23N06YDG-E1-AY.pdf

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NP23N06YDG-E1-AY Caractéristiques

Référence fabricant	NP23N06YDG-E1-AY
Numéro de pièce future	FT-NP23N06YDG-E1-AY
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NP23N06YDG-E1-AY Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta), 60W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-HSON
Paquet / caisse	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NP23N06YDG-E1-AY Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NP23N06YDG-E1-AY-FT

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