maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NVMFD5C680NLWFT1G
Référence fabricant | NVMFD5C680NLWFT1G |
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Numéro de pièce future | FT-NVMFD5C680NLWFT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NVMFD5C680NLWFT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.5A (Ta), 26A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 13µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Puissance - Max | 3W (Ta), 19W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFD5C680NLWFT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NVMFD5C680NLWFT1G-FT |
EFC6612R-TF
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