maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTMD6P02R2G
Référence fabricant | NTMD6P02R2G |
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Numéro de pièce future | FT-NTMD6P02R2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTMD6P02R2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
Puissance - Max | 750mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTMD6P02R2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTMD6P02R2G-FT |
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