maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / FC8V33030L
Référence fabricant | FC8V33030L |
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Numéro de pièce future | FT-FC8V33030L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FC8V33030L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 33V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 480µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 10V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | WMini8-F1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FC8V33030L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FC8V33030L-FT |
US6M11TR
Rohm Semiconductor
US6J11TR
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XCS40XL-5CS280C
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M1A3P250-1PQ208
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