maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTLLD4951NFTWG
Référence fabricant | NTLLD4951NFTWG |
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Numéro de pièce future | FT-NTLLD4951NFTWG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTLLD4951NFTWG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.5A, 6.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 605pF @ 15V |
Puissance - Max | 800mW, 810mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-WDFN (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTLLD4951NFTWG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTLLD4951NFTWG-FT |
HP8S36TB
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