maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / RJM0306JSP-01#J0
Référence fabricant | RJM0306JSP-01#J0 |
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Numéro de pièce future | FT-RJM0306JSP-01#J0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RJM0306JSP-01#J0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
Puissance - Max | 2.2W |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJM0306JSP-01#J0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RJM0306JSP-01#J0-FT |
MCH6663-TL-W
ON Semiconductor
MCH6664-TL-W
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US6M2TR
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US6K2TR
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XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
EP3C40F484C7
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