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ON Semiconductor NVD5C632NLT4G

Name: NVD5C632NLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVD5C632NLT4G
Price: 0.745352 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (538 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVD5C632NLT4G

quantité disponible: 84120 Pièces

Prix de référence: USD 0.745352

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 29A 155A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVD5C632NLT4G.pdf

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NVD5C632NLT4G Caractéristiques

Référence fabricant	NVD5C632NLT4G
Numéro de pièce future	FT-NVD5C632NLT4G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NVD5C632NLT4G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	29A (Ta), 155A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5700pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	4W (Ta), 115W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVD5C632NLT4G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVD5C632NLT4G-FT

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