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STMicroelectronics SCTW90N65G2V
- Numéro de pièce MFG
- SCTW90N65G2V
- quantité disponible
- 15830 Pièces
- Prix de référence
- USD 48.12
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- STMicroelectronics
- Brève description
- - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SCTW90N65G2V.pdf
SCTW90N65G2V Caractéristiques
| Référence fabricant | SCTW90N65G2V |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SCTW90N65G2V |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| SCTW90N65G2V Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 390W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | HiP247™ |
| Paquet / caisse | TO-247-3 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SCTW90N65G2V Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SCTW90N65G2V-FT |
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