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STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Name: SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTW90N65G2V
Price: 48.12 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (174 reviews)

Numéro de pièce MFG: SCTW90N65G2V

quantité disponible: 15830 Pièces

Prix de référence: USD 48.12

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SCTW90N65G2V.pdf

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SCTW90N65G2V Caractéristiques

Référence fabricant	SCTW90N65G2V
Numéro de pièce future	FT-SCTW90N65G2V
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SCTW90N65G2V Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	157nC @ 18V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	390W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	HiP247™
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTW90N65G2V Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SCTW90N65G2V-FT

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