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IXYS IXFT80N65X2HV

Name: IXFT80N65X2HV
Brand: IXYS
SKU: IXFT80N65X2HV
Price: 8.036 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (375 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFT80N65X2HV

quantité disponible: 25570 Pièces

Prix de référence: USD 8.036

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFT80N65X2HV.pdf

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IXFT80N65X2HV Caractéristiques

Référence fabricant	IXFT80N65X2HV
Numéro de pièce future	FT-IXFT80N65X2HV
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFT80N65X2HV Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8300pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	890W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-268HV
Paquet / caisse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT80N65X2HV Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFT80N65X2HV-FT

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