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Diodes Incorporated DMTH6016LFVWQ-13

Numéro de pièce MFG
DMTH6016LFVWQ-13
quantité disponible
81500 Pièces
Prix de référence
USD 0.233064
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMTH6016LFVWQ-13.pdf
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DMTH6016LFVWQ-13 Caractéristiques

Référence fabricant DMTH6016LFVWQ-13
Numéro de pièce future FT-DMTH6016LFVWQ-13
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
DMTH6016LFVWQ-13 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 41A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 939pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.17W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount, Wettable Flank
Package d'appareils du fournisseur PowerDI3333-8
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH6016LFVWQ-13 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMTH6016LFVWQ-13-FT

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