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IXYS IXFH7N100P

Name: IXFH7N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFH7N100P
Price: 5.133336 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (631 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFH7N100P

quantité disponible: 96930 Pièces

Prix de référence: USD 5.133336

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™, Polar™ MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFH7N100P.pdf

IXFH7N100P Caractéristiques

Référence fabricant	IXFH7N100P
Numéro de pièce future	FT-IXFH7N100P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™, Polar™
IXFH7N100P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2590pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH7N100P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFH7N100P-FT

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