maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AON6314
Référence fabricant | AON6314 |
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Numéro de pièce future | FT-AON6314 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON6314 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 85A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 32.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6314 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6314-FT |
DMT4011LFG-13
Diodes Incorporated
DMT4011LFG-7
Diodes Incorporated
DMT6002LPS-13
Diodes Incorporated
DMT6004SPS-13
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DMT68M8LPS-13
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DMTH10H010LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH10H015SPS-13
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DMTH10H015SPSQ-13
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DMTH32M5LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH32M5LPSQ-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel