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Diodes Incorporated DMTH10H015SPS-13

Numéro de pièce MFG
DMTH10H015SPS-13
quantité disponible
88430 Pièces
Prix de référence
USD 0.425672
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
Automotive, AEC-Q101 MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMTH10H015SPS-13.pdf
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DMTH10H015SPS-13 Caractéristiques

Référence fabricant DMTH10H015SPS-13
Numéro de pièce future FT-DMTH10H015SPS-13
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
DMTH10H015SPS-13 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2343pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerDI5060-8
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH10H015SPS-13 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMTH10H015SPS-13-FT

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