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STMicroelectronics STH110N7F6-2

Numéro de pièce MFG
STH110N7F6-2
quantité disponible
89370 Pièces
Prix de référence
USD 0.4152
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
STripFET™ F6 MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STH110N7F6-2.pdf
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STH110N7F6-2 Caractéristiques

Référence fabricant STH110N7F6-2
Numéro de pièce future FT-STH110N7F6-2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries STripFET™ F6
STH110N7F6-2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 68V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5850pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 176W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur H2Pak-2
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STH110N7F6-2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STH110N7F6-2-FT

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