maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMT3009LFVWQ-7
Référence fabricant | DMT3009LFVWQ-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMT3009LFVWQ-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMT3009LFVWQ-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 823pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount, Wettable Flank |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3009LFVWQ-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT3009LFVWQ-7-FT |
AON6518
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AON6520
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AON6522_002
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AON6524
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AON6532
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AON6534
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AON6536
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AON6538
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
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Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
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Intel
EP2C20Q240C8N
Intel