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IXYS IXFH60N65X2-4

Name: IXFH60N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: IXFH60N65X2-4
Price: 6.56 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (483 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFH60N65X2-4

quantité disponible: 81470 Pièces

Prix de référence: USD 6.56

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFH60N65X2-4.pdf

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IXFH60N65X2-4 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFH60N65X2-4
Numéro de pièce future	FT-IXFH60N65X2-4
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFH60N65X2-4 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	108nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6300pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	780W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-4L
Paquet / caisse	TO-247-4
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH60N65X2-4 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFH60N65X2-4-FT

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