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ON Semiconductor NTTFS5116PLTWG

Numéro de pièce MFG
NTTFS5116PLTWG
quantité disponible
73010 Pièces
Prix de référence
USD 0.256608
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NTTFS5116PLTWG Caractéristiques

Référence fabricant NTTFS5116PLTWG
Numéro de pièce future FT-NTTFS5116PLTWG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTTFS5116PLTWG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 5.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1258pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTTFS5116PLTWG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTTFS5116PLTWG-FT

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