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ON Semiconductor NTGD4169FT1G

Name: NTGD4169FT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NTGD4169FT1G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (326 reviews)

Numéro de pièce MFG: NTGD4169FT1G

quantité disponible: 39720 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NTGD4169FT1G.pdf

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NTGD4169FT1G Caractéristiques

Référence fabricant	NTGD4169FT1G
Numéro de pièce future	FT-NTGD4169FT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NTGD4169FT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	295pF @ 15V
Caractéristique FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max)	900mW (Ta)
Température de fonctionnement	-25°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-TSOP
Paquet / caisse	SOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTGD4169FT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NTGD4169FT1G-FT

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