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ON Semiconductor NTGD3147FT1G

Numéro de pièce MFG
NTGD3147FT1G
quantité disponible
79710 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NTGD3147FT1G Caractéristiques

Référence fabricant NTGD3147FT1G
Numéro de pièce future FT-NTGD3147FT1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTGD3147FT1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement -25°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
Paquet / caisse SOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTGD3147FT1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTGD3147FT1G-FT

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