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ON Semiconductor NTP8G206NG

Numéro de pièce MFG
NTP8G206NG
quantité disponible
12320 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NTP8G206NG.pdf
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NTP8G206NG Caractéristiques

Référence fabricant NTP8G206NG
Numéro de pièce future FT-NTP8G206NG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTP8G206NG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 96W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTP8G206NG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTP8G206NG-FT

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