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ON Semiconductor FCH190N65F-F155

Name: FCH190N65F-F155
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCH190N65F-F155
Price: 2.345296 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (140 reviews)

Numéro de pièce MFG: FCH190N65F-F155

quantité disponible: 61520 Pièces

Prix de référence: USD 2.345296

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FCH190N65F-F155.pdf

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FCH190N65F-F155 Caractéristiques

Référence fabricant	FCH190N65F-F155
Numéro de pièce future	FT-FCH190N65F-F155
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	FRFET®, SuperFET® II
FCH190N65F-F155 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3225pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	208W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247 Long Leads
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCH190N65F-F155 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FCH190N65F-F155-FT

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