maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FCH085N80-F155
Référence fabricant | FCH085N80-F155 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FCH085N80-F155 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperFET® II |
FCH085N80-F155 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 46A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4.6mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10825pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 446W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH085N80-F155 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH085N80-F155-FT |
FQA13N50CF_F109
ON Semiconductor
FQA13N80
ON Semiconductor
FQA14N30
ON Semiconductor
FQA16N25C
ON Semiconductor
FQA16N50
ON Semiconductor
FQA17N40
ON Semiconductor
FQA17P10
ON Semiconductor
FQA18N50V2
ON Semiconductor
FQA19N20C
ON Semiconductor
FQA19N20L
ON Semiconductor
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel