maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NTHS4166NT1G
Référence fabricant | NTHS4166NT1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NTHS4166NT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTHS4166NT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.9A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | ChipFET™ |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTHS4166NT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTHS4166NT1G-FT |
NVB25P06T4G
ON Semiconductor
NVB5405NT4G
ON Semiconductor
NVB5426NT4G
ON Semiconductor
NVB5860NLT4G
ON Semiconductor
NVB5860NT4G
ON Semiconductor
NVB60N06T4G
ON Semiconductor
NVB6410ANT4G
ON Semiconductor
NVB6411ANT4G
ON Semiconductor
NVB6412ANT4G
ON Semiconductor
NVB6413ANT4G
ON Semiconductor
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation