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ON Semiconductor NVB5426NT4G

Numéro de pièce MFG
NVB5426NT4G
quantité disponible
89690 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NVB5426NT4G Caractéristiques

Référence fabricant NVB5426NT4G
Numéro de pièce future FT-NVB5426NT4G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NVB5426NT4G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 215W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D2PAK
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVB5426NT4G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NVB5426NT4G-FT

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