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ON Semiconductor NVB25P06T4G

Name: NVB25P06T4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NVB25P06T4G
Availability: InStock
Rating: 4.7 (246 reviews)

Numéro de pièce MFG: NVB25P06T4G

quantité disponible: 81980 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: NVB25P06T4G.pdf

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NVB25P06T4G Caractéristiques

Référence fabricant	NVB25P06T4G
Numéro de pièce future	FT-NVB25P06T4G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
NVB25P06T4G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	27.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	120W (Tj)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVB25P06T4G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	NVB25P06T4G-FT

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