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Référence fabricant | NTA4151PT1H |
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Numéro de pièce future | FT-NTA4151PT1H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTA4151PT1H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 760mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 350mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 156pF @ 5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 301mW (Tj) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-75, SOT-416 |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTA4151PT1H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTA4151PT1H-FT |
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